SD NAND  SLC 的TBW

TBW寫入放大系數(shù)是和FLASH的類型、寫入數(shù)據(jù)的大小有關(guān)系。

SD NAND 的容量目前都是以NAND FLASH晶圓的容量決定，以SLC為例先簡單做個(gè)介紹。

SLC（Single-Level Cell）NAND閃存是一種類型的NAND閃存，其中每個(gè)單元（cell）存儲1位（bit）的數(shù)據(jù)。相對于多層單元（MLC）和三層單元（TLC）NAND，SLC NAND通常提供更好的耐用性和性能，因?yàn)槊總€(gè)單元只存儲1位，所以每個(gè)單元的寫入次數(shù)可以更多。

在SLC NAND閃存中，確實(shí)存在最小的寫入單位，這通常是頁（Page）級別的。頁是NAND閃存中數(shù)據(jù)管理和編程的基本單位。每個(gè)頁包含多個(gè)存儲單元，但具體數(shù)量取決于NAND的具體設(shè)計(jì)。在SLC NAND中，每個(gè)頁通常包含大約256個(gè)單元（因?yàn)槊總€(gè)單元存儲1位，所以256個(gè)單元對應(yīng)256位，即32字節(jié)）。

至于塊（Block），這是NAND閃存中另一個(gè)重要的概念。塊是由多個(gè)頁組成的更大單元，通常是8KB、16KB或其他大小。在SLC NAND中，每個(gè)塊通常包含多個(gè)頁，但每個(gè)塊可以存儲整數(shù)個(gè)用戶數(shù)據(jù)塊，用戶數(shù)據(jù)塊的大小通常是塊大小的倍數(shù)。

為了最大化利用NAND閃存的空間，確實(shí)應(yīng)該盡量以塊大小為單位或者塊大小的倍數(shù)來寫入數(shù)據(jù)。這樣可以避免在塊內(nèi)留下未使用的空間，從而提高存儲效率。如果寫入的數(shù)據(jù)大小不是塊大小的倍數(shù)，那么剩下的空間可能會浪費(fèi)掉，或者需要在以后的寫入操作中填充。

如上所言，塊是由多個(gè)頁組成的單元，其大小和生產(chǎn)廠家或內(nèi)部控制廠家的設(shè)定有關(guān)系。如目前市面上的SD NAND，有的廠家SLC類型的一個(gè)PAGE的大小是4KB，所以每次寫入時(shí)最好以4KB的倍數(shù)。這樣才能最大程度的減少浪費(fèi)。SLC的晶圓一般都支持50000-100000次的，所以SLC比較適合于高強(qiáng)度、 惡劣工作的環(huán)境 。

TBW決定著存儲器使用壽命，SD NAND的TBW的計(jì)算方式可參考：

容量*存儲器擦寫次數(shù)/寫入放大系數(shù)=實(shí)際使用（容量）壽命

寫入放大系數(shù)這個(gè)值是很關(guān)鍵的，值越小越好。如何才能讓寫入放大系數(shù)變小呢。

1.      寫入時(shí)最好參考廠家寫入BLOCK和PAGE的最小單位。

2.      產(chǎn)品內(nèi)部控制器要有磨損平均的功能，這樣不至于內(nèi)部過早產(chǎn)生大量的壞塊。

3.      選用擦寫次數(shù)比較多的存儲器

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